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大直径碳化硅晶体生长工艺及设备

  • 时间:2017-10-25 11:00:02
  • 来源:技术研究院

主要内容

碳化硅(SiC)具有禁带宽、临界雪崩击穿电场强度高、电子饱和漂移速度高、热导率高、以及耐高温、抗辐照和耐腐蚀等特点,是制造高性能电力电子器件、大功率固体微波器件和固体传感器等新型器件和耐高温集成电路的优选材料,也是氮化镓白光LED和氮化镓微波功率器件最理想的衬底材料。

本项目研究人工生长大直径碳化硅单晶体的基本问题,开发适合于器件制造的优质碳化硅单晶的生长工艺与设备,形成一定的设备及晶体生产能力。目前,该项目组使用自行研制、具有自主知识产权的TDL16型碳化硅晶体生长设备和晶体生长工艺,已能制备直径58mm以内、长度15mm以内的6H-SiC体单晶;可以制备更大尺寸的4英寸碳化硅晶体生长设备已进入安装、调试阶段。

合作方式

技术转让、技术服务、技术入股,费用面议。

技术领域

??电子信息。

费用

??根据要求面议。

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