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电子信息
一种场限环-负斜角复合终端结构
申请号: CN201310695943.6 专利类型: 发明
首次公开日: 20140423 所在行业: 电子信息
申请日: 20131217 专利权人:
授权日: 20160622 法律效力:
摘要: 本发明公开了一种场限环-负斜角复合终端结构,将芯片的中央区域作为有源区,将有源区外围区域作为终端区,有源区和终端区共同的n-衬底下方设置有n型场阻止层,在n型场阻止层下方设置有p+阳极区及阳极;有源区中,n-基区中设置有多个并联的单元,每个单元内与n-基区相邻的是波状p基区,p基区上面为p+基区,p+基区中央设置有一个阴极n+发射区,每个n+发射区上方设有阴极;p+基区上方设有门极,并且整个门极环绕在所包围的阴极n+发射区的周围;在终端区的n-衬底内,在主结外侧设了至少一个p型场限环,并在场限环上面有一个负斜角,斜面上覆有钝化层。本发明的场限环-负斜角复合终端结构具有更好的高温稳定性。