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电子信息
二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法
申请号: CN201210177288.0 专利类型: 发明
首次公开日: 20121010 所在行业: 电子信息
申请日: 20120601 专利权人:
授权日: 20150624 法律效力:
摘要: 本发明公开了一种二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法,具体步骤如下:输入模型文件;对电场、磁场及相关辅助变量初始化为零;计算PML中的一维系数数组;更新计算整个计算区域的电位移矢量;更新计算整个计算区域的电场;更新计算电场场源;更新计算PML区域中电场辅助变量;更新计算整个计算区域的磁感应强度;更新计算整个计算区域的磁场;更新计算PML区域中磁场辅助变量;根据设定的仿真计算时长,判断是否继续更新;实际计算时间小于该设定值时,判断继续计算,返回至步骤3;否则输出计算得到的电场和磁场,结束。本发明能够很方便的与CFS参数相结合,能够更加有效的吸收向外传播的电磁波。